[发明专利]一种硅基三维集成扇出型封装方法在审
| 申请号： | 202210976057.X | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115188677A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 肖智轶;马书英;付东之 | 申请（专利权）人： | 华天科技（昆山）电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/768;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 李小叶 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基三维集成扇出型封装方法，包括如下步骤：在硅片上形成直孔，在直孔的孔壁和硅片的表面上形成一层绝缘层；在绝缘层上形成第一金属线路层，在第一金属线路层上形成第一钝化层；在第一钝化层的上方连接上载片，然后使直孔底部的第一金属线路层露出；在硅片上形成凹槽，在凹槽内贴装埋入芯片；在埋入芯片的上方设置第二钝化层和第二金属线路层；去除上载片，在第一钝化层上形成与第一金属线路层电连接的导出结构。本发明先在硅片上形成通孔，再进行晶圆重构，从而保证TSV刻蚀工艺的均一性，且更加耐受高温制程，提升了工艺质量，降低了工艺风险和难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 集成 扇出型 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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