[发明专利]单晶硅基板的制造方法在审
申请号: | 202210975661.0 | 申请日: | 2022-08-11 |
公开(公告)号: | CN115922070A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 伊贺勇人;田畑晋;平田和也 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B23K26/08 | 分类号: | B23K26/08;B23K26/36;B23K26/60;B23K26/70;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供单晶硅基板的制造方法,生产率高。在单晶硅锭的内部形成了剥离层之后,以该剥离层为起点而从单晶硅锭分离单晶硅基板。由此,与使用线切割机从单晶硅锭制造单晶硅基板的情况相比,能够提高单晶硅基板的生产率。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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