[发明专利]单晶硅基板的制造方法

说明书

本发明提供单晶硅基板的制造方法，生产率高。在单晶硅锭的内部形成了剥离层之后，以该剥离层为起点而从单晶硅锭分离单晶硅基板。由此，与使用线切割机从单晶硅锭制造单晶硅基板的情况相比，能够提高单晶硅基板的生产率。

技术领域

本发明涉及单晶硅基板的制造方法，从按照晶面{100}在正面和背面上分别露出的方式制造的单晶硅锭制造单晶硅基板。

背景技术

半导体器件的芯片通常使用圆盘状的单晶硅基板(以下也简称为“基板”)而制造。该基板例如是使用线切割机从圆柱状的单晶硅锭(以下也简称为“锭”)切出的(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开平9-262826号公报

使用线切割机从锭切出基板时的切割量为300μm左右，比较大。另外，在这样切出的基板的正面上形成有微细的凹凸，并且该基板整体上弯曲(在基板上产生翘曲)。因此，在该基板中，需要对正面实施研磨、蚀刻和/或抛光而使正面平坦化。

在该情况下，最终作为基板利用的单晶硅的材料量为锭整体的材料量的2/3左右。即，锭整体的材料量的1/3左右在从锭切出基板和基板的平坦化时被废弃。因此，在这样使用线切割机而制造基板的情况下，生产率降低。

发明内容

鉴于该点，本发明的目的在于提供生产率高的单晶硅基板的制造方法。

根据本发明，提供单晶硅基板的制造方法，从按照晶面{100}在正面和背面上分别露出的方式制造的单晶硅锭制造单晶硅基板，其中，该单晶硅基板的制造方法包含如下的步骤：保持步骤，利用该保持工作台对该单晶硅锭进行保持，其中，该单晶硅锭的该背面侧载置于保持工作台的保持面上；剥离层形成步骤，在将透过单晶硅的波长的激光束的聚光点定位于该单晶硅锭的内部的状态下，沿着与该保持面平行且与该单晶硅锭的晶向100之间形成的锐角的角度为5°以下的第1方向，一边使该聚光点和该单晶硅锭相对地移动一边从该正面侧向该单晶硅锭照射该激光束，由此在该单晶硅锭的内部的沿着该第1方向的直线状的区域形成剥离层；分度进给步骤，沿着与该保持面平行且与该第1方向垂直的第2方向，使当再次实施剥离层形成步骤时该单晶硅锭的内部的通过该激光束的照射而形成该聚光点的位置移动；以及分离步骤，重复实施该剥离层形成步骤和该分度进给步骤，在从该单晶硅锭的内部的该第2方向的一端侧的区域至另一端侧的区域形成了该剥离层之后，以该剥离层为起点而从该单晶硅锭分离该单晶硅基板。

另外，优选在该剥离层形成步骤中，按照产生沿着该第2方向并列的多个聚光点的方式将该激光束分支。

另外，优选在该剥离层形成步骤中，龟裂沿着如下的晶面伸展：该晶面是晶面{N10}所包含的晶面，并且该晶面与该单晶硅锭的晶向100中的与该第1方向之间形成的锐角的角度为5°以下的晶向平行，其中，N为10以下的自然数。

另外，在本发明中，优选在重复实施该剥离层形成步骤和该分度进给步骤而从该一端侧的区域至该另一端侧的区域形成了该剥离层之后，再次重复实施该剥离层形成步骤和该分度进给步骤。

另外，在本发明中，优选在该剥离层形成步骤之后且在该分度进给步骤之前再次实施该剥离层形成步骤。

另外，优选在该剥离层形成步骤中，按照沿着该第2方向的宽度成为规定的长度的方式形成该剥离层，在该分度进给步骤中，按照沿着该第2方向的移动距离成为该规定的长度以上的方式，使该单晶硅锭的内部的通过该激光束的照射而形成该聚光点的位置移动。

另外，优选本发明包含如下的平坦化步骤：在该保持步骤之前，对该单晶硅锭的该正面进行磨削或研磨而进行平坦化。

在本发明中，在单晶硅锭的内部形成了剥离层之后，以该剥离层为起点而从单晶硅锭分离单晶硅基板。由此，与使用线切割机从单晶硅锭制造单晶硅基板的情况相比，能够提高单晶硅基板的生产率。

附图说明

图1是示意性示出单晶硅锭的一例的立体图。