[发明专利]一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210975358.0 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115347113A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 贾欣;母志强;刘强;周虹阳;俞文杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L41/33 | 分类号： | H01L41/33;H01L41/047;H01L41/053;H01L41/09;H01L41/29 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法，所述制备方法至少包括：1)提供具有空腔的衬底，在所述衬底表面形成底电极层；2)在所述底电极层表面形成压电层，所述压电层包括依次形成于所述底电极层表面的第一极性压电层和第二极性压电层；3)于所述第二极性压电层表面依次沉积钝化层和顶电极层，并图形化所述顶电极层；4)制备所述底电极层和所述顶电极层的电极引出结构。利用本发明的制备方法所获得的PMUT器件中，其压电层为单层双极性膜，具有无过渡区的特点，可以最大化有效工作区域，另外，单层双极性膜的制备工艺简单，开孔数量少，布线面积小，因此，可以使得PMUT的阵列密度大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 极性 压电 结构 pmut 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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