[发明专利]真空隧穿器件及制造其的方法在审
| 申请号： | 202210973702.2 | 申请日： | 2022-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN115954321A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 田昌勳;张宰银;许秀珍;金昭熙;张岘瑀;崔箕洵 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;大邱庆北科学技术院 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 沈照千;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种真空隧穿器件和制造该真空隧穿器件的方法，所述方法包括：在基底上形成隧穿器件；在基底上形成绝缘夹层，使得绝缘夹层具有暴露隧穿器件的开口；以及在真空腔室中执行倾斜沉积工艺，以在绝缘夹层上形成密封层，使得密封层填充开口的上部。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
