[发明专利]真空隧穿器件及制造其的方法

说明书

提供了一种真空隧穿器件和制造该真空隧穿器件的方法，所述方法包括：在基底上形成隧穿器件；在基底上形成绝缘夹层，使得绝缘夹层具有暴露隧穿器件的开口；以及在真空腔室中执行倾斜沉积工艺，以在绝缘夹层上形成密封层，使得密封层填充开口的上部。

本申请要求于2021年10月7日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2021-0132793号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种真空隧穿器件及制造该真空隧穿器件的方法。

背景技术

隧穿器件可以使用电荷的隧穿。

发明内容

实施例可以通过提供一种制造真空隧穿器件的方法来实现，该方法包括：在基底上形成隧穿器件；在基底上形成绝缘夹层，使得绝缘夹层具有暴露隧穿器件的开口；以及在真空腔室中执行倾斜沉积工艺，以在绝缘夹层上形成密封层，使得密封层填充开口的上部。

实施例可以通过提供一种制造真空隧穿器件的方法来实现，该方法包括：在基底上形成隧穿器件；在基底上形成绝缘夹层，使得绝缘夹层具有暴露隧穿器件的开口；在绝缘夹层上形成辅助层，以至少部分地覆盖开口的顶端；以及在真空腔室中在辅助层和绝缘夹层上形成密封层，使得密封层填充开口的未被辅助层覆盖的上部。

实施例可以通过提供真空隧穿器件来实现，该真空隧穿器件包括：绝缘夹层，位于基底上，绝缘夹层包括处于真空状态的开口；隧穿器件，隧穿器件的至少一部分位于开口中；辅助层，至少部分地覆盖开口的顶端，辅助层包括二维材料；以及密封层，位于辅助层和绝缘夹层上，密封层填充开口的未被辅助层覆盖的上部。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将明显，在附图中：

图1至图4是根据示例实施例的制造真空隧穿器件的方法的透视图和剖视图。

图5和图6是根据示例实施例的真空隧穿器件的透视图。

图7至图10是根据示例实施例的制造真空隧穿器件的方法中的阶段的透视图和剖视图。

图11和图12分别是根据示例实施例的真空隧穿器件的透视图和剖视图。

图13至图18是根据示例实施例的真空隧穿器件的剖视图。

图19和图20分别是根据示例实施例的真空隧穿器件的平面图和剖视图。

图21和图22分别是根据示例实施例的真空隧穿器件的平面图和剖视图。

具体实施方式

图1至图4是根据示例实施例的制造真空隧穿器件的方法的透视图和剖视图。具体地，图1和图3是透视图，并且图2和图4分别是沿着图1和图3的线A-A'截取的剖视图。

参照图1和图2，隧穿器件110可以位于基底100上，绝缘夹层120可以位于基底100上以覆盖隧穿器件110，并且开口130可以暴露隧穿器件110。

基底100可以包括半导体材料(例如，硅、锗、硅锗等)或绝缘材料(例如，氧化硅、金属氧化物等)。

在隧穿器件110中，可以使用通过隧穿现象产生的电流，在隧穿现象中，电荷(例如，电子)穿过电势垒，隧穿器件110可以包括例如晶体管、二极管等。在实施方式中，在隧穿器件110中，隧穿现象可以不经由半导体材料或导电材料而是经由真空发生，因此隧穿器件110可以包括真空沟道。

绝缘夹层120可以包括氧化物(例如，氧化硅)或氮化物(例如，氮化硅)。

在实施方式中，可以在形成具有使基底100的上表面暴露的开口130的绝缘夹层120之后在基底100的暴露的上表面上形成隧穿器件110。