[发明专利]真空隧穿器件及制造其的方法

权利要求书

1.一种制造真空隧穿器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上形成隧穿器件；

在基底上形成绝缘夹层，使得绝缘夹层具有暴露隧穿器件的开口；以及

在真空腔室中执行倾斜沉积工艺，以在绝缘夹层上形成密封层，使得密封层填充开口的上部。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，倾斜沉积工艺包括将基底相对于源气体提供器沿倾斜方向放置，源气体提供器被构造为提供用于形成密封层的源气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在不是真空腔室的普通腔室中执行形成隧穿器件的步骤和形成绝缘夹层的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在真空腔室中执行形成隧穿器件的步骤和形成绝缘夹层的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，密封层具有包括顺序堆叠的多个层的多层结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

在真空腔室中通过倾斜沉积工艺形成密封层中包括的多个层中的最下层，并且

在真空腔室中通过垂直沉积工艺形成密封层中包括的多个层中的其他层。

7.根据权利要求5所述的方法，其中：

在真空腔室中通过倾斜沉积工艺形成密封层中包括的多个层中的最下层，并且

在不是真空腔室的普通腔室中通过垂直沉积工艺形成密封层中包括的多个层中的其他层。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在形成密封层之前，在绝缘夹层上形成辅助层，以至少部分地覆盖开口的顶端，

其中，密封层形成在辅助层上并填充开口的未形成有辅助层的上部。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，辅助层包括单层材料。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，辅助层在普通腔室中形成并且仅覆盖开口的顶端的一部分。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，辅助层在真空腔室中形成并且覆盖开口的整个顶端。

12.根据权利要求1所述的方法，其中：

隧穿器件包括位于基底上的栅电极以及与栅电极间隔开的源电极和漏电极，

源电极和漏电极彼此间隔开，并且

真空沟道形成在源电极与漏电极之间。

13.一种制造真空隧穿器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上形成隧穿器件；

在基底上形成绝缘夹层，使得绝缘夹层具有暴露隧穿器件的开口；

在绝缘夹层上形成辅助层，以至少部分地覆盖开口的顶端；以及

在真空腔室中在辅助层和绝缘夹层上形成密封层，使得密封层填充开口的未被辅助层覆盖的上部。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，辅助层包括单层材料。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，辅助层在不是真空腔室的普通腔室中形成。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，密封层通过倾斜沉积工艺形成。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，密封层通过垂直沉积工艺形成。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，在不是真空腔室的普通腔室中执行形成隧穿器件的步骤和形成绝缘夹层的步骤。