[发明专利]一种Ni与SiC接触界面性质的表征方法在审
| 申请号： | 202210969461.4 | 申请日： | 2022-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN115219740A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 卢慧;王昊霖;皮孝东;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | G01Q60/16 | 分类号： | G01Q60/16;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及碳化硅技术领域，具体为一种Ni与SiC接触界面性质的表征方法。通过将所述Ni/SiC层放入真空制备腔中进行加热，模拟导致Ni/SiC层发生失灵的温度；再将所述Ni/SiC层断开形成断面后，使用所述扫描探针显微镜的探针对所述接触界面区域进行表征。实现了对Ni与SiC界面性质的表征，可以获得Ni与SiC界面处及界面附近的形貌图，并可以实现对其电学性质进行测量。解决了扫描探针显微镜无法表征界面性质的难题，同时也可以在微观水平上观察Ni与SiC界面处的性质随温度的变化，对理解金属半导体接触具有重要的指导意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ni sic 接触 界面 性质 表征 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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