[发明专利]激光硼掺杂电池发射极的制备方法、以及电池和制备系统

摘要

本发明公开了激光硼掺杂电池发射极的制备方法、以及电池和制备系统，其中电池发射极制备方法包括以下步骤：选择硅基体；对硅基体清洗制绒；对硅基体进行硼扩散，得到p+层和硼硅玻璃层；用第一激光装置对栅线位置加工，得到p++区；用第二激光装置对硅基体进行退火；去除硅基体上的硼硅玻璃层；本发明解决了激光一次掺杂实现SE制备的难题，激光对硼扩散后预留的硼硅玻璃进行加工，以硼硅玻璃作为硼源，对硅基体进行掺杂，在栅线位置形成重掺杂区域，电池片金属化后，可以降低接触电阻，增加电池的填充因子，减少栅线下方电子与空穴的复合，提高电池的开路电压；浅掺杂区域减少复合，增加电池片短路电流，最终有效提高电池的转换效率。