[发明专利]一种新型的氮化镓镍氮空位色心及其制备方法在审
| 申请号: | 202210949606.4 | 申请日: | 2022-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN115332051A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
| 发明(设计)人: | 苏杰;林珍华;胡银辉;常晶晶;张进成;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C30B25/02;C30B29/40;C23C14/18;C23C14/48;C23C14/58 |
| 代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 侯琼;王品华 |
| 地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: |
本发明公开了一种新型的氮化镓镍氮空位色心及其制备方法,主要解决现有技术中色心制备成本高、光学激发能高、应用受限的问题。方案包括:在氮化镓晶格中,利用镍原子取代一个镓原子和该镓原子最近邻的氮空位,原子排列呈现C |
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| 搜索关键词: | 一种 新型 氮化 镓镍氮 空位 色心 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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