[发明专利]一种氮化镓高线性高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210943714.0 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN115394649A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张亦斌;吴少兵;蔡利康;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出的是一种氮化镓高线性高电子迁移率晶体管及其制备方法，主要解决现有器件跨导的线性度差的问题，属于射频功率器件领域。本发明采用栅局域挖槽技术，将栅下势垒层局域减薄，通过调整挖槽宽度和挖槽深度来抑制栅源电流饱和，同时调整器件热场分布抑制降低峰值结温的同时，拓宽了器件跨导范围，提高了跨导的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 线性 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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