[发明专利]一种氮化硅陶瓷烧结体及其制备方法有效
| 申请号： | 202210941639.4 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN115180960B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 乔竹辉;王鲁杰;李彤阳;王梓岳;于源;汤华国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所;烟台中科先进材料与绿色化工产业技术研究院;烟台先进材料与绿色制造山东省实验室 |
| 主分类号： | C04B35/596 | 分类号： | C04B35/596;C04B35/76;C04B35/622;C04B41/87;C22C29/16;C22C1/051 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷烧结体及其制备方法。本发明提供的氮化硅陶瓷烧结体，包括烧结主体和形成于所述烧结主体表面的硬质表层；硬质表层的厚度为10～1000μm；烧结主体包括氮化硅结晶相和第一晶界相，第一晶界相包括金属钨相，金属钨相为钨单质和/或钨合金；硬质表层包括氮化硅结晶相和第二晶界相，第二晶界相包括碳化钨颗粒；第一晶界相中，金属钨相中的钨元素占第一晶界相中总钨元素的质量百分含量为80～100wt％；第二晶界相中，碳化钨颗粒中的钨元素占第二晶界相中总钨元素的质量百分含量为60～100wt％。本发明提供的氮化硅陶瓷烧结体能够实现兼具有高韧性、高硬度及耐磨损的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷 烧结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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