[发明专利]制备非均匀应力同质结薄膜的方法在审
| 申请号： | 202210939403.7 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115547817A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 荣东珂;金桥;林珊;陈盛如;洪海涛;金奎娟;郭尔佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/02;H01L29/267 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备非均匀应力同质结薄膜的方法，包括：(1)在初始衬底上形成牺牲层，获得牺牲层/初始衬底结构；(2)在牺牲层上形成自支撑薄膜，获得自支撑薄膜/牺牲层/初始衬底结构；(3)将自支撑薄膜/牺牲层/初始衬底结构置于能够溶解牺牲层的溶液中直至牺牲层完全溶解，使得自支撑薄膜与初始衬底脱离接触，获得自支撑薄膜；(4)将自支撑薄膜以不完全覆盖目标衬底的方式转移至目标衬底上，以获得不完全覆盖目标衬底的自支撑薄膜/目标衬底结构；(5)在自支撑薄膜/目标衬底结构上形成目标薄膜；自支撑薄膜与目标衬底为具有不同晶格常数的不同种材料。本发明的方法灵活，简易且能够普适性地得到非均匀应力同质结薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 均匀 应力 同质 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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