[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210938670.2 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN116847663A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 本郷悟史;右田达夫;丰田现 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B80/00 | 分类号： | H10B80/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 董婷婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够实现半导体装置的窄间距化的半导体装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体装置具备：基底基板，其包含布线层；第一芯片，其设置在所述基底基板之上；第二芯片，其设置在所述第一芯片之上；以及树脂膜，其设置在所述第一芯片的侧面、所述第一芯片的与朝向所述基底基板的面相反一侧的面、以及所述第二芯片的侧面，从所述第一芯片的侧面起沿着第一方向的所述树脂膜的厚度大于从所述第二芯片的侧面起沿着所述第一方向的所述树脂膜的厚度，其中所述第一方向是垂直于所述第一芯片的侧面的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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