[发明专利]二维SiP2

摘要

一种二维SiP2和h‑BN复合结构光电晶体管及制备方法，该复合结构光电晶体管以二维材料SiP2作为沟道材料，在二维SiP2沟道的底面插入h‑BN，并采用硅作为衬底，SiO2作为栅介质层，对硅施加栅压进而调控暗电流；其制备方法包括以下步骤：(1)将h‑BN纳米薄膜转移到硅衬底上；(2)将SiP2纳米薄膜定点转移至已置于硅衬底上的h‑BN纳米薄膜表面；(3)将硅衬底表面均匀旋涂光刻胶，制备底电极的图形；(4)对底电极的图形进行定位曝光，然后进行显影,暴露出需要蒸镀电极部分；(5)制备金属电极。本发明利用h‑BN作为衬底减少SiP2表面的缺陷，降低电荷散射，提高光电流，能够获得高的探测率，实现高灵敏的特性。