[发明专利]一种利用超临界二氧化碳制备室温铁磁性氧化钼纳米片的方法有效
| 申请号： | 202210909606.1 | 申请日： | 2022-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN115259227B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 许群;刘威 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 郑州豫开专利代理事务所(普通合伙) 41131 | 代理人： | 张智伟 |
| 地址： | 450001 河南省郑州*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于铁磁性氧化钼纳米材料制备技术领域，公开一种利用超临界二氧化碳制备室温铁磁性氧化钼纳米片的方法。（1）、将二硫化钼在空气氛围下200~500℃煅烧60~120min；（2）、将煅烧后得到的粉末分散到10~80v%乙醇中，获得分散液；然后将分散液转移至超临界装置中，向超临界装置中注入二氧化碳，在超临界条件下搅拌反应3‑6h，自然冷却至室温后卸压；将超临界处理后的体系分离，收集分离液并干燥，得到室温铁磁性氧化钼纳米片。本发明首先将二硫化钼在空气环境下高温煅烧氧化，然后通过超临界二氧化碳手段在氧化钼结构中引入局域磁矩，制得室温铁磁氧化钼纳米片，比利用化学气相沉积法得到的原子掺杂磁性氧化钼的成本更为低廉，原料更为易得。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 临界 二氧化碳 制备 室温 铁磁性 氧化钼 纳米 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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