[发明专利]具水平存取线的自选择存储器阵列在审
| 申请号： | 202210904958.8 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN115376571A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | L·弗拉汀;F·佩里兹;A·皮罗瓦诺;R·L·迈尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C19/38 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及具水平存取线的自选择存储器阵列。本发明描述用于具水平存取线的自选择存储器的方法、系统及装置。存储器阵列可包含在不同方向上延伸的第一存取线及第二存取线。举例来说，第一存取线可在第一方向上延伸，且第二存取线可在第二方向上延伸。在每一相交处，可存在多个存储器单元，且每一多个存储器单元可与自选择材料接触。此外，电介质材料可在至少一个方向上定位于第一多个存储器单元与第二多个存储器单元之间。每一单元群组(例如第一多个存储器单元及第二多个存储器单元)可分别与所述第一存取线及所述第二存取线中的一者接触。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 存取 选择 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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