[发明专利]存储器单元和用于形成存储器单元的方法在审
| 申请号： | 202210902531.4 | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115701759A | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | V·斯里拉曼;严大弘;R·甘地;李东华;A·K·穆图库马兰 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27;H10B41/35;H10B41/27;H01L29/792;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本申请涉及一种存储器单元及一种用于形成存储器单元的方法。一种存储器单元包括沟道材料、电荷传递材料、可编程材料、电荷阻挡区和控制栅极。所述可编程材料包括至少两个包括SiN |
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| 搜索关键词： | 存储器 单元 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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