[发明专利]存储器单元和用于形成存储器单元的方法

说明书

本申请涉及一种存储器单元及一种用于形成存储器单元的方法。一种存储器单元包括沟道材料、电荷传递材料、可编程材料、电荷阻挡区和控制栅极。所述可编程材料包括至少两个包括SiN_x的区，所述区之间具有包括SiO_y的区，其中“x”为0.5到3.0且“y”为1.0到3.0。公开了方法。

技术领域

本文中所公开的实施例涉及存储器单元且涉及用于形成存储器单元的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路系统，且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造于个别存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称为字线)来写入到存储器单元或从所述存储器单元读取。感测线可沿着阵列的列使存储器单元以导电方式互连，并且存取线可沿着阵列的行使存储器单元以导电方式互连。每一存储器单元可通过感测线和存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。通常将非易失性存储器指定为具有至少约10年保持时间的存储器。易失性存储器会耗散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以在至少两个不同的可选择状态下保持或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视作“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个信息电平或状态。

场效应晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述一对导电源极/漏极区之间具有半导电沟道区。导电栅极邻近于沟道区且通过薄的栅极绝缘体与所述沟道区间隔开。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一个区流动到另一个区。当从栅极移除电压时，在很大程度上防止了电流流动通过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可以可逆方式编程的电荷存储区。

快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。举例来说，现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用固态驱动器中的快闪存储器来替代常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使得制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使得制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。

NAND可为集成快闪存储器的基本架构。NAND单元装置包括与存储器单元的串联组合进行串联耦合的至少一个选择装置(其中所述串联组合通常被称为NAND串)。NAND架构可以三维布置来配置，所述三维布置包括竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元个别地包括可逆可编程竖直晶体管。控制电路系统或其它电路系统可形成于竖直堆叠的存储器单元下方。其它易失性或非易失性存储器阵列架构还可包括个别地包括晶体管的竖直堆叠的存储器单元。

发明内容

根据本申请的一方面，提供一种存储器单元。所述存储器单元包括：沟道材料；电荷传递材料；可编程材料；电荷阻挡区；控制栅极；及所述可编程材料包括至少两个包括SiN_x的区，所述区之间具有包括SiO_y的区，其中“x”为0.5到3.0且“y”为1.0到3.0。

根据本申请的另一方面，提供一种存储器单元。所述存储器单元包括：沟道材料；电荷传递材料；可编程材料；电荷阻挡材料；控制栅极；所述电荷阻挡材料的组成与所述可编程材料和所述控制栅极的那些组成不同；且所述可编程材料包括：包括SiN_x的第一区，其直接抵靠着所述电荷传递材料，其中“x”为0.5到3.0；包括SiN_x的第二区，其直接抵靠着所述电荷阻挡材料；及中间区，其在所述第一区与所述第二区之间且直接抵靠着所述第一区和所述第二区，所述中间区包括SiO_y，其中“y”为1.0到3.0。