[发明专利]具有支持结构的半导体器件在审
| 申请号： | 202210902331.9 | 申请日： | 2022-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN115696920A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李昊仁;李基硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：下电极；第一支撑结构，包括将下电极互连的第一支撑图案，其中，第一支撑图案侧表面和下电极的被第一支撑图案暴露的侧表面至少部分地限定第一开口区，该第一支撑图案彼此间隔开，该第一开口区在第一支撑图案之间沿水平方向延伸；介电层，覆盖第一支撑结构和下电极；以及上电极，在介电层上。第一支撑图案中的相邻的第一支撑图案之间的距离小于或等于下电极的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 支持 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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