[发明专利]具有支持结构的半导体器件

说明书

一种半导体器件，包括：下电极；第一支撑结构，包括将下电极互连的第一支撑图案，其中，第一支撑图案侧表面和下电极的被第一支撑图案暴露的侧表面至少部分地限定第一开口区，该第一支撑图案彼此间隔开，该第一开口区在第一支撑图案之间沿水平方向延伸；介电层，覆盖第一支撑结构和下电极；以及上电极，在介电层上。第一支撑图案中的相邻的第一支撑图案之间的距离小于或等于下电极的间距。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年7月30日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请第10-2021-0100794号的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及一种具有支撑结构的半导体器件。

背景技术

根据对半导体器件的高集成化和小型化的需求，这种半导体器件的电容器的尺寸正在按比例缩小。因此，为了使以精细图案设置的电容器能够确保预定的电容，需要具有高纵横比的下电极。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件括具有支撑图案的支撑结构以及在支撑图案之间延伸的开口区。支撑结构可以支撑如本文所描述的半导体器件的下电极，例如以减少或防止在工艺(例如，完成半导体器件的制造的制造工艺)执行期间下电极的倾斜。

根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件可以包括：下电极；第一支撑结构，包括将下电极互连的第一支撑图案，其中，第一支撑图案侧表面和下电极的被第一支撑图案暴露的侧表面至少部分地限定第一开口区，该第一支撑图案设置为彼此间隔开，该第一开口区在第一支撑图案之间沿水平方向延伸；介电层，覆盖第一支撑结构和下电极；以及上电极，在介电层上。第一支撑图案中的相邻的第一支撑图案之间的距离可以小于或等于下电极的间距。

根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件可以包括：衬底，包括单元区和外围电路区；下电极，设置在单元区中的衬底上；第一支撑结构，包括将下电极互连的第一支撑图案和位于单元区的边缘处的挡板结构，其中，第一支撑图案侧表面和下电极的被第一支撑图案暴露的侧表面至少部分地限定第一开口区，该第一开口区在第一支撑图案之间沿水平方向延伸，该挡板结构彼此间隔开；介电层，覆盖第一支撑结构和下电极；以及上电极，在介电层上。第一支撑图案中的相邻的第一支撑图案之间的距离可以小于或等于下电极的间距。

根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件可以包括：下电极，在着接焊盘上，该下电极限定蜂窝结构；第一支撑结构，包括将下电极互连的第一支撑图案，并且其中，第一支撑图案的侧表面和下电极的被第一支撑图案暴露的侧表面至少部分地限定第一开口区，该第一支撑图案设置为彼此间隔开，该第一开口区在第一支撑图案之间沿水平方向延伸；第二支撑结构，包括将下电极互连的支撑板，并且该支撑板具有内壁，该内壁至少部分地限定支撑板内部的分离的相应的开孔，第二支撑结构在第一支撑结上，第二支撑结构的上表面与下电极的上表面处于相同的层级；介电层，覆盖第二支撑结构和下电极；以及上电极，在介电层上。第一支撑图案中的相邻的第一支撑图案之间的距离可以小于或等于下电极的间距。第二支撑结构的厚度可以大于第一支撑结构的厚度。开孔可以设置为彼此间隔开，并且支撑板可以在开孔之间沿水平方向延伸。

附图说明

图1A是根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的平面图。

图1B是沿图1A中所示的线I-I′截取的半导体器件的竖直截面图。

图1C是沿图1B中所示的线III-III′截取的半导体器件的平面图。

图2是图1A和图1C中所示的支撑结构的放大图。

图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6A、图6B、图7A、图7B、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A、图10B、图11、图12、图13、图14和图15是以工艺顺序示出了根据本发明构思的一些示例实施例的制造半导体器件的方法的平面图和竖直截面图。