[发明专利]发光二极管、发光装置及其制作方法在审
申请号: | 202210901412.7 | 申请日: | 2022-07-28 |
公开(公告)号: | CN115224173A | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 吴志伟;王燕云;熊伟平;张励国;郭桓邵 | 申请(专利权)人: | 天津三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/20 |
代理公司: | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人: | 李强 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管、发光装置及其制作方法。发光二极管至少可包括衬底、外延叠层、第一金属电极及第二金属电极,外延叠层包括依次层叠在衬底上的第二半导体层、有源发光层和第一半导体层;外延叠层还具有贯穿第一半导体层至有源发光层的沟槽,沟槽将第一半导体层和有源发光层划分为相互独立的发光区结构和岛状结构;岛状结构台面及侧壁覆盖有阻挡层;第一金属电极形成于发光区结构上且电连接第一半导体层;第二金属电极形成于阻挡层上且电连接第二半导体层。本发明提供的发光二极管通过岛状结构及阻挡层的设计,使得两金属电极的高度差降到较低,保证发光二极管易于固晶,能够有效提高良品率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 发光 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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