[发明专利]垂直结构的薄膜晶体管及电子器件在审
| 申请号： | 202210895874.2 | 申请日： | 2022-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115188830A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李治福;刘广辉;艾飞;宋德伟;罗成志 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 彭宇 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种垂直结构的薄膜晶体管及电子器件，该垂直结构的薄膜晶体管包括绝缘基底、及设置于绝缘基底上的有源层，有源层包括叠层设置的第一导体部、有源段和第二导体部；本申请中通过设置第一导体部在绝缘基底上的正投影与第二导体部在绝缘基底上的正投影部分重合，从而避免薄膜晶体管制作过程中的污染离子由绝缘基底方向侵入有源段中，进而实现提升薄膜晶体管性能可靠性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 薄膜晶体管 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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