[发明专利]垂直结构的薄膜晶体管及电子器件

权利要求书

1.一种垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，包括：

绝缘基底；

有源层，设置于所述绝缘基底上，所述有源层包括叠层设置的第一导体部、有源段和第二导体部；

其中，所述第一导体部在所述绝缘基底上的正投影与所述第二导体部在所述绝缘基底上的正投影部分重合。

2.根据权利要求1所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二导体部的厚度大于所述第一导体部的厚度。

3.根据权利要求2所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二导体部的厚度大于所述第一导体部的厚度的两倍。

4.根据权利要求2所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，在垂直于所述绝缘基底的方向上，所述第二导体部的厚度大于或等于50纳米，且小于或等于300微米，所述第一导体部的厚度大于或等于10纳米，且小于或等于100微米。

5.根据权利要求1所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括层叠设置于所述绝缘基底上的第一有源层、第二有源层以及第三有源层；

其中，所述有源层包括掺杂了离子的所述第一导体部，所述第三有源层包括掺杂了离子的所述第二导体部。

6.根据权利要求1所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源段的形状与所述第二导体部的形状相同。

7.根据权利要求1所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二导体部的掺杂离子浓度小于所述第一导体部的掺杂离子浓度。

8.根据权利要求1所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述垂直结构的薄膜晶体管还包括位于所述有源层的侧壁上的栅极，所述栅极在所述有源层的侧壁上的正投影覆盖所述有源段。

9.根据权利要求8所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极在所述绝缘基底上的正投影与所述有源段在所述绝缘基底上的正投影的一侧重叠。

10.根据权利要求8所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极在所述绝缘基底上的正投影与所述有源段在所述绝缘基底上的正投影的两个或者多侧重叠。

11.根据权利要求8所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述垂直结构的薄膜晶体管还包括：

遮光层，设置于所述绝缘基底和所述有源层之间，所述遮光层在所述绝缘基底上的正投影至少覆盖所述有源段在所述基底上的正投影，且所述栅极与所述遮光层连接。

12.根据权利要求1所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源段的厚度大于或等于0.1微米，且小于或等于1微米。

13.根据权利要求1所述的垂直结构的薄膜晶体管，其特征在于，所述垂直结构的薄膜晶体管还包括位于所述有源层远离基底一侧的第一金属层，所述第一金属层与所述第一导体部连接；

其中，所述第一导体部包括与所述有源段连接的第一导体子部、及与所述第一金属层连接的第二导体子部，所述第一导体子部在所述基底上的正投影与所述第二导体部在所述基底上的正投影重叠，所述第二导体子部在所述基底上的正投影与所述第二导体部在所述基底上的正投影互不交叠。

14.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括1-13任意一项所述垂直结构的薄膜晶体管。