[发明专利]垂直结构的薄膜晶体管及电子器件

说明书

本申请提供一种垂直结构的薄膜晶体管及电子器件，该垂直结构的薄膜晶体管包括绝缘基底、及设置于绝缘基底上的有源层，有源层包括叠层设置的第一导体部、有源段和第二导体部；本申请中通过设置第一导体部在绝缘基底上的正投影与第二导体部在绝缘基底上的正投影部分重合，从而避免薄膜晶体管制作过程中的污染离子由绝缘基底方向侵入有源段中，进而实现提升薄膜晶体管性能可靠性的效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种垂直结构的薄膜晶体管及电子器件。

背景技术

目前液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)移动终端等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

在现有技术中，已知将像素、驱动、多路复用、控制、逻辑等IC(IntegratedCircuit)电路集成在玻璃基板(system on glass，SOG)上可以提高半导体器件集成度、降低对IC芯片的依赖性；而为了实现SOG需要提高现有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的集成度、最大工作频率和电流密度，其中，由于薄膜晶体管导通时的电性能与有源层对应于所述源极和所述漏极之间的部分(即所述有源层的沟道(channel)长度)有关，为了实现上述效果，需要使薄膜晶体管具有更短的沟道长度和更小的体积；然而传统的薄膜晶体管在制作过程中，在基底上通过现有曝光设备制作“I”型有源层时，其掩模图案的最小尺寸一般大于2μm，因此在现有技术中，很难实现所述薄膜晶体管的短沟道化；并且随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极对沟道的控制能力变差，使得亚阈值漏电(Subthreshold leakage)现象，即所谓的短沟道效应(SCE：short-channeleffects)更容易发生。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及移动终端，用以缓解相关技术中的不足。

为实现上述功能，本申请实施例提供的技术方案如下：

本申请实施例提供一种垂直结构的薄膜晶体管，包括：

绝缘基底；

有源层，设置于所述绝缘基底上，所述有源层包括叠层设置的第一导体部、有源段和第二导体部；

其中，所述第一导体部在所述绝缘基底上的正投影与所述第二导体部在所述绝缘基底上的正投影部分重合。

在本申请实施例所提供的垂直结构的薄膜晶体管中，所述第二导体部的厚度大于所述第一导体部的厚度。

在本申请实施例所提供的垂直结构的薄膜晶体管中，所述第二导体部的厚度大于所述第一导体部的厚度的两倍。

在本申请实施例所提供的垂直结构的薄膜晶体管中，在垂直于所述绝缘基底的方向上，所述第二导体部的厚度大于或等于50纳米，且小于或等于300微米，所述第一导体部的厚度大于或等于10纳米，且小于或等于100微米。

在本申请实施例所提供的垂直结构的薄膜晶体管中，所述有源层包括层叠设置于所述绝缘基底上的第一有源层、第二有源层以及第三有源层；

其中，所述有源层包括掺杂了离子的所述第一导体部，所述第三有源层包括掺杂了离子的所述第二导体部。

在本申请实施例所提供的垂直结构的薄膜晶体管中，所述有源段的形状与所述第二导体部的形状相同。

在本申请实施例所提供的垂直结构的薄膜晶体管中，所述第二导体部的掺杂离子浓度小于所述第一导体部的掺杂离子浓度。