[发明专利]一种具有宽制冷温区的高熵掺杂镧铁硅基磁制冷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210891685.8 申请日: 2022-07-27
公开(公告)号: CN115323248B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 桑夏晗;孙岳;赵文俞;张清杰 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C22C33/04 分类号: C22C33/04;C22C38/04;C22C38/34;C22C38/52;C21D1/18;C21D1/26;C21D6/00;C09K5/14
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 李欣荣
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种具有宽制冷温区的高熵掺杂镧铁硅基磁制冷材料的制备方法,包括如下步骤:1)根据高熵掺杂镧铁硅基磁制冷材料的化学计量比称取单质原料,将称取的原料混合,进行熔炼,得镧铁硅基合金铸锭;其中高熵掺杂镧铁硅基磁制冷材料的化学计量式为LaFe11‑(x+y+m+n)CoxNiyCrmMnnSi2;2)热处理:将所得镧铁硅基合金铸锭进行高温退火热处理,进行淬火,即得所述镧铁硅基磁制冷材料。采用本发明所述方法可显著拓宽所得磁制冷材料的制冷温度范围,并改善所得镧铁硅基磁制冷材料的单相性;且涉及的制备方法较简单、重复性好,适合推广应用。
搜索关键词: 一种 具有 制冷 掺杂 镧铁硅基磁 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210891685.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top