[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号： | 202210890401.3 | 申请日： | 2022-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115692253A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 铃木达大;泷昭彦;西村优大 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟;李平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置。各分支配管具有供环境气体从主配管流入的内部空间。下游闸板设于各分支配管中的比上游闸板靠下游侧的位置，开闭分支配管。上游切换部件在上游空间允许外部环境气体的流入的状态以及上游空间禁止外部环境气体的流入的状态之间切换上游空间的状态。下游切换部件在下游空间允许外部环境气体的流入的状态以及下游空间禁止外部环境气体的流入的状态之间切换下游空间的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
