[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 202210873723.7 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115863141A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 永富佳将;山崎裕久;寿崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。其课题在于提高形成于衬底上的膜的质量。所述半导体器件的制造方法具有通过将下述循环进行规定次数从而在衬底上形成包含第1元素及氧的膜的工序，所述循环包括：(a)向衬底供给改性剂，在衬底上形成包含物理吸附于衬底的表面的改性剂的吸附层的工序；(b)向衬底供给包含第1元素的原料，使原料与衬底的表面反应，在衬底上形成包含第1元素的第1层的工序；和(c)向衬底供给氧化剂，使氧化剂与第1层反应，将第1层改性为包含第1元素及氧的第2层的工序，其中，通过吸附层来抑制第1层的形成时产生的副产物吸附于第1层及衬底的表面中的至少任一者。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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