[发明专利]一种增强型高鲁棒性可控硅静电防护器件及其制作方法

摘要

本发明公开一种增强型高鲁棒性可控硅静电防护器件及其制作方法，包括P型衬底、N型埋层、N阱、和P型浅阱；由于P型浅阱和N+注入两侧的浓度较高，雪崩击穿容易发生在该区域，通过该设计引导雪崩电流，优化器件的放电路径；N型埋层上有P型衬底、P型浅阱，P型浅阱上有五个注入区与一个多晶硅栅极，有两个注入区分别跨接在N阱与P型浅阱表面和P型浅阱与P型衬底表面，五个电极连接在一起作为器件阴极；N阱中两个注入的电极连在一起作为器件阳极；跨接在N阱与P型浅阱上和P型浅阱中的两个注入电极连接在一起引导电流；该器件在明显降低导通电阻的情况下提高维持电压和失效电流，有效保护核心电路，远离闩锁风险并提高芯片的ESD防护等级。