[发明专利]基于自中心至四周渐变P型掺杂浓度的氧化镓pn二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202210864505.7 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115084234A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;洪悦华;张翔宇;何云龙;苑子健;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/36;H01L29/45;H01L21/34 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于自中心至四周渐变P型掺杂浓度结构的氧化镓Pn二极管及制备方法，主要解决现有技术在提高器件反向击穿电压的同时严重增大器件的正向导通电阻和功耗的问题。其自下而上，包括：阴极欧姆金属(1)、氧化镓衬底(2)、氧化镓漂移层(3)、P型半导体层(4)、高掺杂浓度P型半导体层(5)和阳极(6)，其中，P型半导体层由多种不同掺杂浓度的半导体材料按其自中心至四周掺杂浓度渐变增大的顺序依次在氧化镓漂移层上沉积形成，以降低氧化镓漂移层边缘和P型半导体层内部的峰值电场，同时形成良好欧姆接触，实现器件在提升反向击穿电压的同时降低器件的导通电阻，本发明提高了氧化镓器件的巴利加优值，可用于电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 中心 四周 渐变 掺杂 浓度 氧化 pn 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210864505.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种中医用理疗腰带
- 下一篇：一种背负式农用喷雾器的多功能延长手柄
- 同类专利
- 专利分类
