[发明专利]一种浮岛器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202210861863.2 | 申请日： | 2022-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN114944422B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 盛况;王珩宇;王策;任娜 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/45;H01L29/872;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 310007 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域中的一种浮岛器件及其制造方法，包括外延层、表面层、底层、第一掺杂区、第二掺杂区和欧姆接触金属，其中，所述表面层和底层之间有若干外延层，至少一个外延层中设置第一掺杂区和第二掺杂区；所述欧姆接触金属通过形成欧姆接触连接第一掺杂区和第二掺杂区；具有消除空间电荷对电流的阻碍和连通外延层与第一掺杂区的优点，缓解了传统浮岛器件在恢复导通状态时的电压过冲或开通延迟问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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