[发明专利]多晶硅CMP负载的改善方法在审
| 申请号： | 202210859347.6 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115274428A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 董阳阳;朱普磊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅CMP负载的改善方法，包括：提供完成顶层多晶硅生长和CMP的半导体衬底，CMP负载效应是顶层多晶硅的顶部表面不平坦；形成硬质掩膜层，硬质掩膜层具有从底部转移来的第二台阶结构和第二凹槽；形成第二介质层；涂布形成第三材料层将第二凹槽完全填充；对第三材料层进行以第二介质层为停止层的第一次回刻；对第二介质层进行以硬质掩膜层为停止层的第二次回刻；测量位于第二凹槽侧面的第二介质层的第一高度值；以第二介质层和第三材料层为掩膜对硬质掩膜层进行刻蚀量等于第一高度值的第三次刻蚀；去除第二介质层和第三材料层。本发明能对有多晶硅CMP负载效应形成的硬质掩膜层的不平坦表面进行精确平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 cmp 负载 改善 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
