[发明专利]一种背面变掺杂结构的场截止IGBT芯片制作方法有效
| 申请号： | 202210857358.0 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115083895B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 刘坤;刘杰 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳卓启知识产权代理有限公司 44729 | 代理人： | 刘新子 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种背面变掺杂结构的场截止IGBT芯片制作方法，该方法包括：晶圆背面旋涂光刻胶，曝光并显影，去除元胞区的部分光刻胶，通过注入P型掺杂离子形成第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，其中所述第一P型掺杂区的掺杂浓度大于第二P型掺杂区的掺杂浓度。本发明通过使用光刻胶作为掩膜，阻挡部分芯片终端区域和过渡区域的背面掺杂离子注入剂量，使得终端区域和过渡区域的背面阳极掺杂浓度要低于元胞区的阳极掺杂浓度，使得IGBT器件在导通状态下终端区和过渡区的空穴注入效率低于元胞区，空穴电流在芯片的水平方向上进行再分布，缓解了关断过程中空穴电流在边角位置的集中效果，能够有效提升芯片的动态雪崩击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 掺杂 结构 截止 igbt 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
