[发明专利]对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202210856952.8 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115172248A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 钟涛;何忠义;周清军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备，控制方法包括：将晶圆传送至静电卡盘上，对晶圆进行吸附；待对晶圆进行工艺处理后，向反应腔室中通入解吸附气体，控制腔室压力为第一设定压力，并向上电极施加第一设定功率，以将解吸附气体激发为等离子体；在维持等离子体后的第一设定时长内，将晶圆抬升至设定高度；在抬升之后，在第二设定时长内，将上电极的功率从第一设定功率逐渐降至0，实现对等离子体的灭辉；同时将腔室压力从第一设定压力逐渐降至第二设定压力，完成对晶圆的解吸附。本发明能够解决工艺过程中晶圆在吸附和解除吸附过程中产生的颗粒问题，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 进行 吸附 解吸 控制 方法 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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