[发明专利]对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法，用于半导体设备中，所述半导体设备包括反应腔室和设置在所述反应腔室中的静电卡盘，其特征在于，包括：

将所述晶圆传送至所述静电卡盘上，对所述晶圆进行吸附；

待对所述晶圆进行工艺处理后，向所述反应腔室中通入解吸附气体，控制所述反应腔室的腔室压力为第一设定压力，并向上电极施加第一设定功率，以将所述解吸附气体激发为等离子体；

在维持所述等离子体后的第一设定时长内，将所述晶圆抬升至设定高度；

在抬升之后，在第二设定时长内，将所述上电极的功率从所述第一设定功率逐渐降至0，实现对所述等离子体的灭辉；同时将所述腔室压力从所述第一设定压力逐渐降至第二设定压力，完成对所述晶圆的解吸附。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行吸附，具体包括：

同步增加静电卡盘的吸附电压和所述晶圆背面的气体压力。

3.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述同步增加静电卡盘的吸附电压和所述晶圆背面的气体压力包括：

在第三设定时长内，同时控制所述静电卡盘的吸附电压从零逐渐增加至设定电压以及所述晶圆背面的气体压力从零逐渐增加至第三设定压力。

4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，在维持所述等离子体后的第一设定时长内，将所述晶圆抬升至设定高度之前，还包括：

在第四时长内，控制所述静电卡盘的吸附电压从所述设定电压逐渐降低至零，同时控制所述晶圆背面的气体压力维持在所述第三设定压力。

5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，所述第三设定时长为0.5s-3s，所述第四时长为5s，所述设定电压为1000V-4000V，所述第三设定压力为10T-30T。

6.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一设定功率为800W-1000W，所述第一设定压力为10mT-30mT；所述第二设定时长为7s-10s，所述第二设定压力为0mT-5mT；上电极功率的下降速率为100-500W/s。

7.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一设定时长为2s-5s。

8.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，在所述完成对所述晶圆的解吸附后，向所述工艺腔室中持续通入吹扫气体。

9.根据权利要求8所述的控制方法，其特征在于，所述吹扫气体为惰性气体或氮气，所述吹扫气体的流量为100sccm-500sccm。

10.一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室和和设置于所述工艺腔室内的静电卡盘，所述静电卡盘内设有下电极，所述静电卡盘上方设有上电极，其特征在于，还包括控制单元，所述控制单元用于执行权利要求1-9任意一项所述的对晶圆进行吸附及解吸附的控制方法。