[发明专利]一种用于静电防护的对称双向可控硅整流器及防护系统在审
| 申请号： | 202210855186.3 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115020404A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 高东兴;郑家强 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶扬电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/747;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京知汇林知识产权代理事务所(普通合伙) 11794 | 代理人： | 杨华 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于静电防护的对称双向可控硅整流器及防护系统，包括：P型衬底(P110)、深N阱、P阱、N阱、P型有源区、N型有源区、N阱环(N130)、阳极、阴极，所述深N阱(N120)置于所述P型衬底(P110)和所述P阱之间；其中，所述阳极通过正极金属互连线(102)连接且置于整流器外侧，所述阴极通过负极金属互连线(101、103)连接且置于整流器外侧；N阱环(N130)跨接于深N阱(N120)上，N阱(N150)、N阱(N190)、N阱(N170)和N阱(N210)通过连接构成一个N阱环，P阱(P140)、P阱(P200)、P阱(P180)和P阱(P220)通过连接构成一个P阱环环，本发明提出的新型版图布局，可以有效阻断各种寄生SCR通路，恢复整流器自身对称的I‑V特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 静电 防护 对称 双向 可控 硅整流器 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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