[发明专利]基于SOI和III-V半导体的混合集成可调谐激光器有效
| 申请号： | 202210837367.3 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115085008B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 陈熙;许东 | 申请（专利权）人： | 上海新微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/026 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于SOI和III‑V半导体的混合集成可调谐激光器，包括SOI半导体结构及III‑V族半导体结构，SOI半导体结构包括交叉SOI波导区、第一SOI波长选择反射区、第二SOI波长选择反射区及端面反射区；III‑V族半导体结构包括第一波导耦合区、III‑V波导增益区、第二波导耦合区、第三波导耦合区及III‑V族转镜区。本发明将SOI半导体结构与III‑V族半导体结构相结合，可分别利用III‑V半导体实现有源增益的功能，以及硅光子基于集成电路平台先进工艺制备能力，对可调谐激光器各部分的功能区进行相对独立的控制，以提供尺寸小、易集成、成本低，宽波段波长调谐的可调谐激光器，且使得可调谐激光器在集成光电子领域和光通信领域有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi iii 半导体 混合 集成 调谐 激光器 | ||
【主权项】：
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