[发明专利]一种NVM存储单元

摘要

本发明适用于存储技术领域，提供了一种NVM存储单元，其包括衬底、设置于所述衬底上的四个子单元模块以及PN结二极管，每个所述子单元模块均包括一个NMOS管以及一个第一端与所述NMOS管的栅极连接N阱电容，四个所述子单元模块中的所述N阱电容以及所述PN结二极管共用一个N阱。本发明中NVM存储单元的PN结二极管可以在N阱反偏偏置下提供空穴，避免N阱电容在编程时进入深耗尽区，以提高编程的效率并降低编程电压，从而降低编程高压对NVM存储单元的尺寸要求，进而缩小NVM存储单元的面积，使其适用于大多数芯片。