[发明专利]退火装置的控制装置、退火装置、及退火方法在审
| 申请号： | 202210808731.3 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115621161A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 冈田康弘;万雅史 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 高益秀;刘芳 |
| 地址： | 日本东京品*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够进一步抑制与激光照射面为相反侧的面的温度上升的退火装置的控制装置、退火装置、及退火方法。利用光束整形光学元件将从激光光源输出的脉冲激光光束在退火对象物的表面上的光束点整形为在一个方向上长的形状。移动机构使光束点相对于退火对象物移动。控制装置对激光光源及移动机构进行控制，进行一边使脉冲激光光束入射到退火对象物，一边使光束点相对于退火对象物在光束点的长度方向上移动的扫掠动作，由此进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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