[发明专利]晶体管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210807041.6 | 申请日： | 2022-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116936615A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 廖政华;柯宗杰;林幸如;谢荣裕;杨令武 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供了一种晶体管结构及其制备方法，该晶体管结构包括衬底、栅极结构、多个第一口袋掺杂区、多个第二口袋掺杂区、多个源极/漏极延伸区与多个源极/漏极区。栅极结构位于衬底上。多个第一口袋掺杂区位于栅极结构旁的衬底中。第一口袋掺杂区的掺杂包括IVA族元素。多个第二口袋掺杂区位于栅极结构旁的衬底中。第二口袋掺杂区的深度大于第一口袋掺杂区的深度。多个源极/漏极延伸区位于多个第一口袋掺杂区中。多个源极/漏极区位于栅极结构旁的衬底中。源极/漏极延伸区位于源极/漏极区与栅极结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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