[发明专利]一种采用无掺杂发射极的太阳电池及其制备方法

摘要

本发明属于晶体硅光伏电池技术领域，具体涉及一种采用无掺杂发射极的太阳电池及其制备方法。本发明的电池结构中的发射极采用低温工艺实现，能耗低，能兼容薄硅片、不依赖于昂贵的管式扩散炉或PECVD装备，降本优势突出；电池结构中的发射极采用免掺杂的宽带隙化合物材料且置于电池背面，无需用到TCO薄膜，寄生性光学吸收较小，能够提升电池的短路电流密度。同时，电池的发射极无需掺杂，工艺大大简化，无需用到高活性金属以及易燃易爆的气体掺杂剂，有助于改善电池的整体稳定性和提升制备流程的安全性；本发明成功实现了电学优化与光学优化的解耦，能有效改善传统太阳电池结构电子选择性传输效果较差的弊端，提升电池转化效率。