[发明专利]一种采用无掺杂发射极的太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种采用无掺杂发射极制备太阳电池的方法，其特征在于，所述太阳电池以p型单晶硅片为衬底，采用低温工艺制备无需掺杂且宽带隙的化合物薄膜作为发射极，并将所述发射极置于电池的背面。

2.根据权利要求1所述的一种采用无掺杂发射极制备太阳电池的方法，其特征在于，所述无需掺杂且宽带隙的化合物薄膜为硫化镉薄膜，所述硫化镉薄膜的厚度为2-30nm。

3.根据权利要求2所述的一种采用无掺杂发射极制备太阳电池的方法，其特征在于，所述硫化镉薄膜在制备完成后，还置于空气中150-450℃退火30s～30min形成一层钝化膜。

4.根据权利要求2所述的一种采用无掺杂发射极制备太阳电池的方法，其特征在于，所述硫化镉薄膜的制备方法包括磁控溅射法或化学水浴法或热蒸发法。

5.根据权利要求1所述的一种采用无掺杂发射极制备太阳电池的方法，其特征在于，所述发射极表面设置有低功函数复合电极。

6.根据权利要求5所述的一种采用无掺杂发射极制备太阳电池的方法，其特征在于，所述低功函数复合电极为金属卤化物/Al复合电极，所述金属卤化物包括氟化锂、氟化镱、碘化铯或氯化钠。

7.根据权利要求6所述的一种采用无掺杂发射极制备太阳电池的方法，其特征在于，所述金属卤化物的厚度为0.5-10nm，所述Al电极的厚度为300nm以上。

8.根据权利要求1所述的一种采用无掺杂发射极制备太阳电池的方法，其特征在于，制备发射极前，先在电池背面制备界面钝化膜，所述界面钝化膜的厚度为1.5-6nm。

9.根据权利要求1所述的一种采用无掺杂发射极制备太阳电池的方法，其特征在于，所述电池的正面可以是无栅线结构，也可以是空穴传输层结构。

10.采用权利要求1-9任一项所述的方法制备得到的太阳电池。