[发明专利]基于范德华外延制备二维非层状窄带隙半导体材料的方法在审
| 申请号： | 202210806705.7 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115287625A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 何军;姜健;程瑞清;尹蕾;文耀 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/01;H01L31/032 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 李景 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请涉及无机半导体纳米材料技术领域，特别涉及一种基于范德华外延制备二维非层状窄带隙半导体材料的方法。本申请提供的基于范德华外延制备二维非层状窄带隙半导体材料的方法包括：以范德华材料或带有范德华材料的硅片作为生长基底，采用气相沉积法利用反应原料制备得到二维非层状窄带隙半导体材料，所述反应原料选用Pb、Sn、S、Se、Te或含有对应元素的硫化物、硒化物、碲化物、氯化物中的一种或多种的混合。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 范德华 外延 制备 二维 层状 窄带 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
