[发明专利]在Si支柱上具有SiGe层的半导体装置在审
| 申请号： | 202210796508.1 | 申请日： | 2022-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN115605020A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 友彦久斗 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 丁昕伟 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种在Si支柱上具有SiGe层的半导体装置。一种方法包含：在硅衬底上外延生长SiGe层；蚀刻所述SiGe层及所述硅衬底以形成覆盖有所述SiGe层的有源区；第一次蚀刻形成于所述有源区的第一区上的所述SiGe层而不蚀刻形成于所述有源区的第二区上的所述SiGe层以形成第一沟槽；以及第二次蚀刻在所述第一沟槽的内壁上剩余的所述SiGe层。 | ||
| 搜索关键词： | si 支柱 具有 sige 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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