[发明专利]抑制光谱串音的二类超晶格双色红外焦平面探测器芯片在审
申请号: | 202210795503.7 | 申请日: | 2022-07-07 |
公开(公告)号: | CN115360257A | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 游聪娅;刘铭;任秀娟 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/11;H01L31/0216;H01L31/0352 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 袁鸿 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种抑制光谱串音的二类超晶格双色红外焦平面探测器芯片,包括:衬底,其上采用分子束外延法制备有超晶格外延结构,其中所述超晶格外延结构为垂直的双色叠层背靠背NPN结构或PNP结构,其远离双色叠层结构的一面设置有具有对应双色透过特性的多层增透膜;双色叠层结构,其垂直外延生长在所述衬底上,且其波长短的一侧通道中的本征吸收层的厚度大于波长长的一侧通道中的本征吸收层的厚度。本申请实施例的外延结构有效抑制了长波向中波的光谱串音,并且保证探测器的量子效率和探测性能。 | ||
搜索关键词: | 抑制 光谱 串音 二类超 晶格 红外 平面 探测器 芯片 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的