[发明专利]半导体器件以及在衬底上形成用于散热器/屏蔽结构的接地连接的凸块焊盘阵列的方法在审

专利信息
申请号: 202210782548.0 申请日: 2022-07-05
公开(公告)号: CN115938951A 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: H·T·阿帕尔;李揆元;M·萨克特 申请(专利权)人: 星科金朋私人有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/552;H05K1/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孙鹏;周学斌
地址: 新加坡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体器件具有衬底、以及以阵列形成在衬底上的多个第一凸块。在第一凸块的至少两侧上、在衬底上形成第二凸块的阵列。在第一凸块上设置电气部件。在衬底和电气部件上设置封装结构。封装结构具有水平构件以及从水平构件延伸以形成腔体的腿部。封装结构耦合到第二凸块的阵列。封装结构包括作为散热器或屏蔽层而操作的材料。屏蔽层通过第二凸块的阵列进行接地连接。第一凸块和第二凸块具有相似的高度和宽度,以在相同的制造步骤中形成。在第二凸块的阵列上设置保护层,诸如导电环氧树脂。
搜索关键词: 半导体器件 以及 衬底 形成 用于 散热器 屏蔽 结构 接地 连接 凸块焊盘 阵列 方法
【主权项】:
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