[发明专利]半导体器件以及在衬底上形成用于散热器/屏蔽结构的接地连接的凸块焊盘阵列的方法在审
| 申请号： | 202210782548.0 | 申请日： | 2022-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115938951A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | H·T·阿帕尔;李揆元;M·萨克特 | 申请（专利权）人： | 星科金朋私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/552;H05K1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙鹏;周学斌 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 衬底 形成 用于 散热器 屏蔽 结构 接地 连接 凸块焊盘 阵列 方法 | ||
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成多个第一凸块；
在所述衬底上形成第二凸块的阵列；以及
在所述衬底上设置封装结构，其中所述封装结构耦合到第二凸块的阵列。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在第一凸块上设置电气部件。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述封装结构包括作为散热器或屏蔽层而操作的材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其中第一凸块和第二凸块具有相似的高度和宽度。
5.一种半导体器件，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的多个第一凸块；
形成在所述衬底上的第二凸块的阵列；
设置在第一凸块上的电气部件；以及
设置在所述衬底和电气部件上的封装结构，其中所述封装结构耦合到第二凸块的阵列。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述多个第一凸块以阵列来布置。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述封装结构包括作为散热器或屏蔽层而操作的材料。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述屏蔽层通过第二凸块的阵列进行接地连接。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中第一凸块和第二凸块具有相似的高度和宽度。
10.一种半导体器件，包括：
衬底；
在所述衬底上形成多个第一凸块；
在所述衬底上形成第二凸块的阵列；以及
在所述衬底上设置封装结构，其中所述封装结构通过第二凸块的阵列进行电连接。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，进一步包括设置在第一凸块上的电气部件。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述多个第一凸块以阵列来布置。
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述封装结构包括作为散热器或屏蔽层而操作的材料。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述屏蔽层通过第二凸块的阵列进行接地连接。
15.根据权利要求10所述的半导体器件，进一步包括设置在第二凸块的阵列上的保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
