[发明专利]一种硅光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210776374.7 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115113348A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 何慧敏;薛海韵;刘丰满;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;G02B6/12;H01L31/02 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅光器件及其制备方法，其中，硅光器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的器件层，所述器件层中具有贯穿所述器件层的第一开口，所述第一开口包围的器件层的区域为耦合结构，所述耦合结构中具有光波导层和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述光波导层和所述半导体衬底层之间；所述第一开口和所述耦合结构的底部的半导体衬底层中具有第一凹槽，所述第一凹槽与所述第一开口连通；位于所述第一凹槽和所述第一开口中的折射率匹配层，所述折射率匹配层的折射率小于所述第一绝缘层的折射率。所述硅光器件可兼顾耦合效率高和耦合结构可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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