[发明专利]一种光电器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种光电器件及其制造方法。所述光电器件包括衬底、重掺杂区、量子点薄膜及透明导电膜层。所述衬底具有相对的第一表面和第二表面。所述重掺杂区设于所述衬底中并自所述衬底的第一表面外露，所述重掺杂区的材料为第一导电类型材料。所述量子点薄膜设于所述衬底的第二表面，所述量子点薄膜的材料为第二导电类型材料。所述透明导电膜层，设于所述量子点薄膜背离所述衬底的一侧。上述光电器件在衬底的第二表面设置量子点薄膜，使得量子点薄膜与重掺杂区之间形成异质结，基于量子点薄膜可设置为能吸收更大波长的光，使得该设置量子点薄膜的光电器件能够探测更大波长范围的光，提高光电器件的探测效果。