[发明专利]改善散热的发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210769283.0 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115274962A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;王江波;张威 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供了一种改善散热的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括：基板、发光结构、第一电极和第二电极；所述发光结构包括依次层叠于所述基板上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽，所述第一电极位于所述凹槽内，所述第二电极包括间隔排布的多个子电极，多个所述子电极位于所述第二半导体层远离所述基板的一侧。本公开实施例能提升芯片的散热能力，改善芯片电气过应力下降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 散热 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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